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三星860 QVO 1TB评测:QLC时代正式来临,取代HDD未来可期!

2018-12-19 02:20:29 网络整理 阅读:189 评论:0

1QLC闪存颗粒介绍:容量大速度慢回顶部

【PConline 评测】众所周知,近几年来固态硬盘凭借着高速读写,低噪音及抗震等优势得以迅速的普及,并不断的侵占着机械硬盘的市场份额。但由于其大容量产品售价一直居高不下,导致其始终无法完全取代机械硬盘。后来随着3D NAND技术的不断突破,在历时一年多的技术更替后,终于在今年SSD的价格降到1元1GB的“白菜价”。可即使如此,1TB的固态硬盘的价格大多在千元以上,相比300元不到的机械硬盘来说还是很昂贵。然而,如今QLC到来了,一切都将会出现不一样的变化。

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QLC闪存颗粒是什么?

自固态硬盘发展至今,闪存颗粒已经进行了三次更新,最开始的时候是SLC,到中期的MLC,再到近几年的TLC,最后就是QLC了。下面就先来了解一下所有的闪存颗粒的类型。

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闪存颗粒类型SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell(每个Cell单元只储存1位数据,有2个状态,就是0和1,也就是仅有两种不同的电压状态),其结构简单但是执行效率高,最大的特点就是速度快,寿命长,(约10万次擦写寿命),不过成本也最高,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),最早的顶级颗粒,但因为成本问题,目前大都用在SSD的缓存上了。MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell(每个Cell单元储存2位数据,有4个状态,00.01.10.11,有四种不同电压状态),因此,要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度中等,寿命中等,价格比SLC便宜,约3000---10000次擦写寿命。成本在几种颗粒中算是均衡的,接替SLC的产品,在TLC之前的绝对主流颗粒,而目前主要用于高端和企业级产品。TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell(每个Cell单元储存3位数据,有8个状态,具体如上图,有八种不同电压状态),成本低,容量大,但速度慢寿命短,约500-1000次擦写寿命,但随着技术的成熟,目前寿命问题已经得到改善(约1500~2000次擦写寿命),并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。QLC=Quad-Level Cell,,即4bit/cell(每个Cell单元储存4位数据,有16个状态,具体如上图,有十六种不同电压状态),相对于TLC来说,成本比更低,容量更大,而可靠、稳定性及寿命则更差些(此前几年预计的理论可擦写100-150次),不过东芝宣称,他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环,几乎已经和TLC闪存相当了。注1:每Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但同时导致不同电压状态越多,越难控制,所以导致颗粒稳定性越差,寿命低,利弊都有。

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如今市面上卖的SSD基本以TLC和少数MLC闪存颗粒为主,其中在2017年整体TLC SSD出货比重更是接近了75%,在SSD市场所占比重更大。所以也就是说现在大家买到的固态硬盘,基本上都是TLC的。前几年,TLC的出现提高了SSD的容量,更在一定程度上降低了SSD的价格。不过却依旧没解决SSD价格的难题,大容量SSD仍旧贵,这使得很多消费者往往选择小容量SSD+大容量便宜的HDD的组合方式,但这终究没有单纯大容量SSD来得好。

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