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pSemi推出高速GaN FET驱动器 大幅提高固态LiDAR分辨率

2018-06-18 05:47:42 网络整理 阅读:133 评论:0

pSemi推出高速GaN FET驱动器 大幅提高固态LiDAR分辨率

据麦姆斯咨询报道,Murata company(..村田)旗下子公司pSemi™ Corporation(曾用名Peregrine Semiconductor,以下简称pSemi)近日在INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM(IMS国际微波会议)上宣布推出应用于固态LiDAR(激光雷达)的GaN FET(氮化镓场效应晶体管)驱动器PE29101。PE29101具有业内最快的上升时间和更低的最小脉冲宽度。这款高速驱动器可帮助设计工程师充分利用GaN晶体管的全部性能和开关速度优势。在固态LiDAR系统中,更快的开关速度意味着更高的LiDAR成像分辨率和精度。

pSemi推出高速GaN FET驱动器 大幅提高固态LiDAR分辨率

“随着GaN逐步证明其在固态LiDAR等应用中的作用,设计工程师正利用pSemi的高速驱动器来最大化GaN的快速开关优势,” pSemi首席技术官Jim Cable说,“凭借PE29101的上升和下降速度,可帮助LiDAR系统实现其可能达到的最高成像分辨率,而这正是产业所需要的,,以发挥LiDAR系统最完整的潜在性能。”

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