（原题目：Samsung beats chip rivals with 'gate all around' speed-boosting tech）
图示：三星的围绕栅极手艺（GAA）可以对芯片晶体管进行从新设计
5月15日新闻，据国外媒体报道，三星将于2021年向市场推出一项冲破性的处理器手艺，对最根基的电子元件进行基本性革新，使芯片机能提高35%，同时使能耗降低50%。
据悉，本地时间周二三星在于加州圣克拉拉举办的三星锻造论坛(Samsung Foundry Forum)上公布，这项名为“围绕栅极”(gate all around，GAA)的手艺可以对芯片焦点晶体管进行从新设计和革新，使其更小更快。到2021年，应用这种手艺的芯片问世后将成为三星与英特尔和台积电等竞争敌手的交锋中迈出的主要一步。三星进展借此加速芯片行业的成长措施。近年来，芯片行业一向难以战胜极端小型化带来的工程挑战。
国际贸易计谋咨询公司(International Business Strategies)首席执行官汉德尔·琼斯(Handel Jones)透露，三星壮大的材料研究项目正在取得成绩。
他透露:“三星在GAA方面领先台积电大约一年时间。”“而英特尔或者掉队三星两到三年。”
三星的提高将耽误摩尔定律所描述的行业提高，确保我们的手机、手表、汽车和家庭互联设备能变得更智能。在GAA手艺的匡助下，至少在将来几年，用户能够等候显现更好的图形处理手艺、更智能的人工智能和其他较量方面的改善。
“GAA将标记着我们代工买卖进入一个新时代，”三星代工买卖..副总裁瑞安李(Ryan Lee)在本次运动上透露。
