说到电子设备，就不得不提芯片，芯片的制程在很大法式上决意了芯片的巨细、功耗以及机能，今朝在用的贸易化最高规格的芯片制程为7nm，高通855、苹果A12和麒麟980都采用的7nm EUV工艺制造。
今朝拥有最进步制程的厂商无疑是台积电 ，其在2018年最早实现了7nm 制程的冲破并量产， 而5nm 制程工艺也已指日可待，估计在2020年实现量产， 紧随厥后的是三星。
近日，三星在于加州圣克拉拉举办的三星锻造论坛(Samsung Foundry Forum)上公布， 将于2021年向市场推出一项冲破性的处理器手艺，对最根基的电子元件进行基本性革新，即将芯片制程提拔到3nm，并用GAA（Gate-all-around 围绕栅极）工艺庖代FinFET工艺，以增加晶体管机能，如许芯单方面积削减45％，机能将提高35%，同时使能耗降低50%。
所谓GAA，亦称作横向纳米线场效应管，是一个周边围绕着gate的FinFET，GAA 晶体管可以供应比 FinFet 更好的静电特征，可知足某些栅极宽度的需求，这首要施展在一致尺寸构造下，GAA沟道掌握能力增加，是以给尺寸进一步微缩供应了或者。传统FinFET的沟道仅三面被栅极包抄，而GAA以纳米线沟道设计，沟道的整个外概况都被栅极完全包裹住，这就意味着栅极对沟道的掌握机能就更好。
跟着5G、AI、物联网等快速成长，芯片的小型化、智能化和机能优胜化，为终端较量和终端智能供应了更多或者，也为像人工智能如许的复杂较量供应了精巧的根蒂，将来值得等候。
