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总投资70亿美元 三星加速西安NAND闪存工厂建设

2019-10-13 09:37暂无阅读:1509评论:0

在连跌

7个季度之后,

NAND闪存市场将在本年底迎来起色,

Q3季度闪存价钱下跌幅度已经大幅收窄,估计

Q4季度会由跌转涨,涨幅约为

10%。

价钱转变的同时,上游的闪存厂商也起头有新的动作了,韩媒报道称三星规划将来岁的存储芯片开支增加到

65亿美元,额外增加的资金首要用于扶植位于中国西安的闪存工场二期工程。

在中国西安,三星

2014年投资

70亿美元扶植了第一期闪存工场,首要生产第一代

V-NAND闪存芯片。

2017年,三星与西安当局签署了新的和谈,将在

2020年之前再次投资

70亿美元扶植第二座闪存工场。

不外

2017年的时候闪存市场照样牛市,价钱上涨了一年多了,在

2018年、

2019年闪存价钱接连下滑之后,三星扶植西安工场的速度也慢下来了。如今加快扶植新工场,实际上也是因为闪存市场即将迎来拐点,

2020年遍及被看好,三星大举扶植新工场,有助于抢占更高的份额。