在连跌
7个季度之后，
NAND闪存市场将在本年底迎来起色，
Q3季度闪存价钱下跌幅度已经大幅收窄，估计
Q4季度会由跌转涨，涨幅约为
10%。
价钱转变的同时，上游的闪存厂商也起头有新的动作了，韩媒报道称三星规划将来岁的存储芯片开支增加到
65亿美元，额外增加的资金首要用于扶植位于中国西安的闪存工场二期工程。
在中国西安，三星
2014年投资
70亿美元扶植了第一期闪存工场，首要生产第一代
V-NAND闪存芯片。
2017年，三星与西安当局签署了新的和谈，将在
2020年之前再次投资
70亿美元扶植第二座闪存工场。
不外
2017年的时候闪存市场照样牛市，价钱上涨了一年多了，在
2018年、
2019年闪存价钱接连下滑之后，三星扶植西安工场的速度也慢下来了。如今加快扶植新工场，实际上也是因为闪存市场即将迎来拐点，
2020年遍及被看好，三星大举扶植新工场，有助于抢占更高的份额。
