今年台积电、三星及 Globalfoundries 等公司都会量产 7nm 工艺，第一代 7nm 工艺将使用传统的 DUV 光刻工艺，二代 7nm 才会上 EUV 光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上 EUV 工艺？在美光看来，EUV 光刻工艺并不是 DRAM 芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证 1Y nm 内存芯片，未来还有 1Z、1 α 及 1 β 工艺。
内存行业在未来几年都不需要 EUV 光刻机
内存跟 CPU 等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU 逻辑工艺今年进入到了 7nm 节点，但内存主流的还是 20nm、18nm 工艺，其中 18nm 就属于 1X nm 节点（16-19nm 之间），后面的 1Y nm 则是 14-16nm 之间，，1Z 大概是 12 到 14nm。再之后，美光提出的是 1 α 及 1 β 工艺，具体对应 xx nm 就不明了。
三星是第一家量产 18nm 工艺，也就是第一个进入 1X nm 节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向 1X nm 工艺转进，下一代的 1Y nm 工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm 工艺节点在处于工艺优化阶段，1 α 及 1 β 工艺则是在不同研发阶段。
美光 CEO Sanjay Mehrotra 日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题，在 EUV 光刻工艺上，他认为 EUV 光刻机在 DRAM 芯片制造上不是必须的，直到 1 α 及 1 β 工艺上都也不会用到它。
ASML 早前分享过内存进入 EUV 工艺的进度表
在内存工艺上，美光认为 1 α 及 1 β 工艺上依然都不需要 EUV 光刻工艺，不过早前 ASML 两年前提到过内存在进入 1Y nm 节点时就需要考虑 EUV 工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大 DRAM 巨头都没有很快进入 EUV 节点的打算。
