1969年4月，英特尔推出了首款产品：3101静态随机存取存储器。
1968年8月，，英特尔公司刚投入运营未满一年。一开始，英特尔全身心投入研发，作为一家刚刚崭露头角的企业，想一举开发出最新的技术，而不仅仅是复制现有的技术。为了尽快开发出一款产品，英特尔曾同时追求三种技术：双极存储器——该产品基于成熟的技术，但是难以进一步开发；硅栅金属氧化物半导体存储器——该产品可以革新芯片制造，但首先需要发明出来；以及多芯片存储器——四个小内存芯片连接在一起，创造出一种体积庞大、不结实但便宜的设备。无论哪种设备，只要能最快证明其可行性，就将成为英特尔的第一个产品。
最终胜出的是双极存储器——64位3101，该产品的开发速度本身就是一种胜利。
英特尔首款产品3101静态随机存取存储器裸芯片照片die shot细节展示
当时霍尼韦尔公司宣布，准备从制造64位SRAM芯片的任意公司处进行采购，这在内存制造商之间引发了一场竞争。作为一家新公司，英特尔并不起眼。为了开发出一个比竞争对手产品更快、更强大的芯片，英特尔决定押宝自己“能以比传统预想的更快速度克服基础性障碍”——虽然这个过程中也会面临“从零开始构建半导体制造业务”所带来的其它所有问题。
英特尔赌赢了。英特尔制造的64位SRAM芯片的速度已经达到了市面上现有SRAM的两倍。虽然霍尼韦尔最后没有选择采用这款芯片，但英特尔的产品在其它合作中大获成功。也许更重要的是，正如一位硅谷历史学家在2014年指出的那样，这场技术胜利传达了一个重要的信息：“公司正在发展——这让行业其它同仁知道，英特尔将成为一个不容小觑的竞争对手、技术创新者和制造商，不仅能够达到足够高的良品率，也能在最短的时间内投入市场。”
双极存储器采用了足够成熟的技术。那些对此而感到些许安慰的竞争对手不会高兴太早。英特尔的下一款产品1101 SRAM将成为科技历史上一个更大的里程碑。在1969年晚些时候发布的1101是首个使用金属氧化物半导体工艺的商用芯片，它依靠的是硅栅极而不是金属。它彻底改变了半导体技术，同时为英特尔公司开辟了一个重要的收入来源。
从3101到1101，英特尔在其成立的第一年，就在改进现有技术方面和技术突破的长期开发方面不断超越竞争对手。
