肖特基势垒二极管简称肖特基二极管或肖特基管。
英文全称：Schottky Barrier Diode
英文缩写：SBD
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管的工作原理
肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极，用N型半导体材料为阴极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性，从而制成的一种金属/半导体器件。
肖特基二极管属于五层器件，中间层以N型半导体为基片，上面用砷作掺杂剂的N-外延层，最上面用金属材料钼构成的阳极。
N型基片具备很小的导通电阻，在基片下面依次是N+阴极层、金属阴极。
如下图所示：典型的肖特基二极管的内部结构
典型的肖特基二极管的内部结构
