近年，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管，不仅改善了器件参数的一致性、还能节省贵金属，减少环境污染。
通过调整结构和参数，能在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基垫垒。
当加上正偏压E时，势垒宽度W0变窄；加负偏压-E时，势垒宽度W0变宽，如下图所示：
外加偏压时势垒宽度的变化情况
肖特基二极管仅仅只用一种载流子(电子)输送电荷，然而在势垒的外侧无过剩的少数载流子积累，所以它不存在电荷储存效应，这个特性使得开关特性得到明显改善，反向恢复时间能缩短到10ns以内。但是存在一个缺陷，反向耐压较低，一般不超过100V，使得它仅适宜在低电压、大电流下工作。它的低正向压降特性，能提高大电流整流(或续流)电路的效率。
肖特基二极管的典型伏安特性如下图所示：
肖特基二极管的典型伏安特性
