当下，半导体系造业成长得如火如荼，稀奇是以台积电为代表的晶圆代工业，在对更进步制程工艺的络续追求下，使得财富链上的相关企业备受存眷，也拉动着财富投资。
10nm、7nm、7nm+，以及来岁就将试产的 5nm 等，进步制程成长到今朝阶段，已经进入了迟缓成长期。这些制程与昔时作为最具经济效益，且被看作是进步制程分界点的 28nm 比拟，玩儿家越来越少，看客越来越多。是以，它们的演进过程值得回味。
从制程工艺节点演变角度来看，28nm 及以上相对成熟制程，凭借高性价比依然拥有较大的市场规模，存量上根基连结不变或稍微下降，然则因为 28nm 及更进步制程的市场规模逐渐扩大，成熟制程的市场占比会络续下降。总的来说，今朝代工市场照样首要以成熟制程为主，进步制程占比络续提高。2018 年，28nm 及更进步制程市场占比 45% 摆布，估计到 2021 年能够达到 56%。
而从芯片制造厂商角度来看，今朝，28nm 及更进步制程的玩家也只有 6 家了，它们离别是纯晶圆代工场台积电、格芯、联电和中芯国际，以及 IDM 大厂三星和英特尔。
下面，我们就针对这 6 家芯片制造大厂的制程工艺演进情形做一下梳理。
台积电
在晶圆代工范畴，无论是制程手艺笼盖局限、进步制程向导力，照样营收水平等，台积电都是行业老迈。该公司排名一向位列行业第一，今朝的市占率已经接近 60%。而在制程手艺种类方面，2017 年，台积电就以 258 种制程手艺，为 465 个客户生产了 9920 种芯片。工场方面，该公司拥有三座 12 英寸超大晶圆厂，离别是晶圆 12 厂、晶圆 14 厂和晶圆 15 厂，此外，其在中国大陆和..区域还在新建工场，以知足客户对更进步制程工艺的需求。
下面看一下台积电各类制程工艺的演进情形。
2003 年，该公司推出了其时业界领先的 0.13 μ m 低介质铜导线逻辑制程手艺，也就是从那时起头，台积电起头大幅领先于联电（UMC）。
2004 年，台积电成为第一家采用浸没式光刻工艺生产 90nm 芯片的厂商。
2005 年，台积电起头风险试产 65nm 产物；2008 年，使用 40nm 制程工艺为多个客户大规模生产芯片；2011 年，全球首家推出 28nm 通用工艺手艺。
因为台积电在业内率先实现了 28nm 的量产，使其历久并吞 28nm 市场占有率的第一名，高通骁龙 800 采用了台积电的 28nm HPM HKMG 尺度制程，高通 MSM8960 和联发科四核芯片 MT6589T 芯片使用的则是 28nm LP 工艺。
2014 年，台积电成为全球首家采用其独创的双模式 20nm 手艺量产芯片的公司；2015 年，起头量产 16nm FinFET 制程；2017 年，起头大规模出货 10nm FinFET 制程，并起头风险试产 7nm FinFET 制程，并于 2018 年实现量产；2019 年，起头量产 7nm+（EUV 版的 7nm）。
2020 年将风险试产 5nm 制程。此外，该公司已经起头扶植 3nm 制程工艺晶圆厂，并有望于 2022 年实现量产。
在制程工艺演进方面，台积电有一大特点，那就是每一代制程的推出距离时间慢慢拉长，例如：其 45nm 到 28nm 之间相隔 9 个季度，28nm 到 16nm 之间相隔 11 个季度，16nm 到 10nm 之间相隔 12 个季度。然则，从 65nm 今后的历次新制程产能推进情形来看，新制程量产后的扩产和替代速度正在敏捷加速，例如：40nm/45nm 制程的产能占比从 0 提拔到 20% 耗时 9 个季度，28nm 耗时 7 个季度，16nm 制程耗时 5 个季度，而 10nm 只耗时 3 个季度。
经由以上这些现象能够看出：一、高端大客户对于更高机能、更低功耗的进步制程产物的需求急迫；二、反映出台积电的研发能力和生产经验在络续增加，对新产能的良率掌握和产能推进越来越轻车熟路。
图：台积电在 2009~2017 年间进步制程的迭代速度逐年加速
台积电的盈利能力很强，下面就以人们非常存眷的中芯国际为对象，做一下简洁的对比。以 2017 年第四时度的台积电和中芯国际的营收构造和毛利率为例，进步制程（28nm 及以下）为台积电带来的营收占总营收比重为 63%，而中芯国际的进步制程营收占比仅为 11%，该季度台积电毛利率为 50.5%，而中芯国际毛利率为 19%。台积电 2017 年 Q4 营收为 94.37 亿美元，晶圆出货量为 607.28 万片 8 英寸约当晶圆，综合单价为 1554 美元 / 片。中芯国际同期营收为 7.87 亿美元，晶圆出货量为 112.48 万片 8 英寸约当晶圆，综合单价为 700 美元 / 片。二者产物均价相差跨越一倍，毛利率相差近 2.5 倍，进步制程具有的产物价格和利润空间可见一斑。
三星
三星于 2005 年成立了晶圆代工买卖部门，并于 2017 年起头将其自力出来经营，自力的首要目的就是为了增强在全球晶圆代工市场的竞争力，以求拉近与台积电的距离。
下面看一下三星晶圆代工买卖在进步制程方面的演进情形。
2016 岁首，三星第二代 14nm FinFET 起头量产；2016 年 10 月，该公司第一代 10nm FinFET LPE 制程多量量生产；2017 年 4 月，第二代 10nm FinFET 工艺手艺 10LPP 经由认证；2017 年 10 月，8nm FinFET 工艺手艺 8LPP 经由认证；2017 年 11 月，第二代 10nm FinFET 工艺手艺量产；2019 年，7nm+ 制程实现量产。
比来两年，三星与台积电在 10nm 制程工艺竞争较为激烈。台积电在 2017 年 Q2 起头为苹果量产 10nm 的 A11 处理器，并于 2018 年起头量产 7nm 制程，三星也起头进行 10nm 投片，但跳过了采用浸润式光刻手艺的 7nm，直接推出采用 EUV 光刻手艺的 7nm。总体而言，台积电在 10nm 和 7nm 制程上有领先优势。
在工场方面，三星从 2005 年起头进入 12 英寸晶圆代工范畴，今朝，该公司的晶圆代工专属线有 4 条，包罗 3 条 12 英寸和一条 8 英寸线。12 英寸晶圆代工线分布在韩国和美国，首要针对高端工艺，包罗 65nm、45nm、32nm /28nm HKMG、14nm FinFET 工艺，客户包罗苹果、高通、AMD、XILINX、NVIDIA 等。8 英寸晶圆代工线于 2016 年开放，从 180nm 到 65nm 制程节点都已经涵盖，工艺手艺包罗嵌入式闪存 ( eFlash ) 、功率器件、CMOS 图像传感器 CIS，以及高压制程的生产。
格芯
格芯（Global Foundries）制订了两条工艺路线图：对于 FinFET，该公司有 14LPP（14nm FinFET 手艺）和 12LPP；对于 FD-SOI，格芯在产的是 22FDX，当客户需要时，还能够生产 12FDX 芯片。
格芯 14LPP 首要用于制造较量、互联网、移动、办事器市场的低功耗 SoC；28nm 及 FDX 系列工艺首要用于中低端处理器；22FDX-RFA 手艺首要应用于射频范畴；180nm 和 55nm 等成熟工艺首要应用于模拟芯片，以及电源治理芯片等范畴。
联电
联电于 2003 年起头试产 90nm 芯片，并于 2004 年经由验证并实现量产；2005 年，该公司推出了 65nm 芯片；2006 年产出第一片 45nm 芯片；2008 年，推出业界第一个代工的 28nm 制程 SRAM 芯片；2009 年出产了 40nm 芯片；2011 年，起头试产 28nm 芯片，并于 2014 年量产；2017 年，量产 14nm 芯片。
2013 年，联电还成功斥地出了 28nm 的 PolySiON 制程手艺，并经由客户产物验证慢慢导入量产。2014 年，成功斥地出 28nm 的 HKMG 制程手艺，并经由先期客户产物验证慢慢导入量产。2015 年，成功斥地出 28nm 高效能精简型（HPC+）制程手艺，可供应更低的漏电流，从而降低功耗。
中芯国际
2000 年成立的中芯国际，于 2001 年在上海投产 8 英寸厂，并于 2005 年实现 90nm 试产；2009 年实现 65nm 量产；2011 年，55nm 量产，且 40nm 验证成功，2012 年，40nm 量产；2015 年 Q2，起头量产 28nm。
中芯国际的 28nm 有 3 种制程，离别是 PolySiON，HKMG 和 HKC。该公司的 28nm 手艺现已成功进入多项目晶圆 ( MPW ) 和量产阶段，并提出了成长三阶段概念：第一阶段的 PolySiON 制程已经量产，第二阶段 HKMG 制程已经在 2017 年第 2 季起头产出，而第三阶段是 HKC 制程，在 2018 年量产。
自 28nm 量产今后，中芯国际在该制程节点处的成长就碰到了一系列的难题。对此，该公司 CEO 赵水师曾经透露：" 对 28nm 扩产持郑重立场 "。而中芯国际在 2018 年投入量产的首要新制程是第二阶段的 28nm HKMG（中芯国际称之为 HKC）。而 28nm Poly/SiON 和 HKMG 都已经是敌手的成熟制程，价钱方面的压力根基相当，是以，28nm HKMG 的扩产从盈利能力的角度来看，带来的进献有限。是以，该公司临时放缓了盈利艰难的 28nm，临时经由成熟制程稳定业绩，为 14nm 在 2019 年的量产做好足够预备。
成熟工艺方面，55nm/65nm 和 0.15 μ m/0.18 μ m 两大制程..放量，估计对应该公司的 NOR 和 PMIC 两大要害..。此外，中芯国际拥有中国大陆区域最大的 8 英寸晶圆产能，成熟制程..和定制化应用的火热水平使其 8 英寸线产能行使率连结高位，对该公司业绩也有进一步拉动感化。
今朝，14nm FinFET 制程手艺是中芯国际的重中之重，因为从 14nm 节点起，集成电路中的场效应管构造从 2D 改变为 3D。固然今朝进步制程的划分依然以 28nm 为界，但从晶圆代工场商的竞争款式来看，14nm FinFET 手艺才是主流大厂与中小厂商的分野地点。是以，14nm FinFET 手艺的冲破对于中芯国际来说有着里程碑意义。
英特尔
从 1971 年，采用 10 μ m 制程工艺生产出全球首个微处理器 4004，一向到 2019 年实现 10nm 处理度量产，英特尔近 50 年的半导体系程工艺成长之路堪称史上之最。
在制程工艺手艺方面，英特尔一贯以要求严苛而著名，也恰是因为如斯，使其在贸易化制程方面落在了台积电和三星的后背。然则，因为英特尔并不是专做晶圆代工的企业，其在该范畴的产能和市场占有率都对照低。工场首要照样用于生产自家的处理器和存储器芯片。
Intel 旗下的晶圆厂非常多，该公司 70% 的处理器及芯片组晶圆都产自美国的晶圆厂，包罗亚利桑那州、俄勒冈州、新墨西哥州、马萨诸州，个中马萨诸州是英特尔今朝独一、也是最后一座 8 英寸晶圆厂了。该公司的 14nm 制程工艺首要在美国亚利桑那州及俄勒冈的 D1X 晶圆厂生产。美国本土以外的 14nm 晶圆厂首要是爱尔兰的 Fab 24，还在升级 14nm 工艺中。
该公司在中国大连、成都还有两座晶圆厂，不外，制程工艺照样以 90nm 和 65nm 为主。
在成长晶圆代工买卖方面，英特尔有或者会引入计谋投资者。在将来的 7nm 及 5nm、3nm 等手艺的投资越来越大，引入计谋投资者有助于分管风险。
