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国产内存大扩产!技术升级+产能扩张,产业链上下游多股受益

2019-12-05 09:20暂无阅读:767评论:0

长鑫存储目前月产能约为2万片,规划到2020年底晶圆月产能达12万片。

长鑫存储公布其最新的DRAM技术路线图,已采用19纳米的工艺生产DDR4内存,包括4Gb和8Gb两种型号,目标是在2020年第一季度上市。受利好消息影响,DRAM产业链公司股价大涨,北方华创早盘一度涨停,收涨7.93%。

DRAM实现国产化突破

我国作为芯片消费大国,每年都需要从国外进口半导体芯片,其中DRAM内存芯片占比最高,有20%以上。DRAM领域一直被三星、SK海力士、美光国外三巨头掌控,我国在此领域多年来一直没有突破,几乎完全依靠进口。为打破对外依存度过高的局面,长鑫存储在合肥市政府和相关企业的共同推动下成立。

根据天眼查信息,长鑫存储技术有限公司的母公司合肥长鑫集成电路有限责任公司成立于2016年,由合肥市产业投资控股(集团)有限公司控股,后者是合肥市国资委控股公司,投资芯片等战略性产业的发展。

长鑫存储DRAM技术来源于奇梦达,后者是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂,破产后一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据被长鑫存储获得。之后通过与国际大厂合作,持续投入研发超过25亿美元,并不断完善自身研发技术,目前长鑫存储已形成自己的技术体系。目前虽然技术、产能都不能与海外大厂相比较,但对于国内还无法自制DRAM的现状来说,确属一大突破。

在制造工艺上,除了19nm和17nm的工艺制造内存芯片外,长鑫还制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。目前长鑫月产能约为2万片,规划到2020年底晶圆月产能将达12万片。另外,长鑫存储计划再建两座DRAM晶圆厂,继续扩大产能以满足国内庞大的DRAM需求。预计到2020年底,其10nm级工艺技术的产能为12万片晶圆(12英寸),媲美SK海力士在中国无锡的工厂。

多股受益于国产替代机会

国产DRAM的突破对于国内产业链是一个巨大机会,出于不受制于人的考量,从设备、设计、制造到封测等芯片国产化个股有望获得大幅成长。

兆易创新是国内的存储芯片全平台公司、半导体产业龙头,存储(Nor flash)及MCU两大主业国内第一,远远领先国内同行业对手。此外,还与合肥市政府共同推动了长鑫存储成立,兆易董事长朱一明亦是合肥长鑫的董事长兼首席执行官。长鑫存储的成立投产,扩大了兆易创新的存储产品版图,向着更高的DRAM领域进发。民生证券认为,长鑫DRAM产品的投产将和兆易flash产品形成双剑合璧,从25亿美金的Nor进入1000亿美金的DRAM市场。

北方华创是国内半导体设备的龙头企业,也是国家大基金重点扶持的设备企业。目前国内半导体设备自给率不及10%,进口替代的空间巨大,DRAM扩大产能,最先受益的是相关的设备厂商。公司产品基本上覆盖了整个半导体制造产业关键环节工艺的设备。

长电科技提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套生产服务。全球前二十大半导体公司中有85%为公司客户。在供应链安全重要性提高的背景下,DRAM扩产对于国内的封测大厂会产生直接的需求拉升,市场份额有望获得较大提升。(数据宝 王林鹏)

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