GlobalFoundries公布，该公司已与新加坡南洋理工大学和国度研究基金齐集作斥地电阻式随机存取存储器（ReRAM）。这种下一代存储手艺将为快速非易失性大容量嵌入式缓存摊平道路。该项目将耗时四年，耗资1.2亿新元（8800万美元）。
今朝，GlobalFoundries（和其他半导体的合同制造商）使用eFlash（嵌入式闪存）用于需要大容量板载存储的芯片。使用20nm以下手艺制造芯片时，这项手艺具有很多局限性，例如经久性和机能，这也是GlobalFoundries和其他芯片制造商在将来的设计中追求用磁阻RAM（MRAM）取代eFlash的首要原因，因为它被认为是目前能够使用现代芯片工艺制造的最耐用的非易失性存储手艺。
MRAM依靠于读取由薄势垒离隔的两个铁磁膜的磁各向异性（偏向），是以在写入数据之前不需要擦除周期，这使其比eFlash快得多。此外，其写入过程需要相当少的能量。另一方面，MRAM的密度相对较低，在低温下其磁各向异性降低，但对于大多数不涉及低温的用例来说，仍然非常有进展。
这使研究人员进一步研发ReRAM，ReRAM依靠电流改变电介质材料上的电阻（从"0"到"1"或其他）。该手艺也不需要擦除周期，具有很高的经久性，而且假设使用准确的材料，则能够在很宽的温度局限内工作。同时，即使使用"薄型"现代制造工艺（例如GF的12LP或12FDX）生产存储单元，用于ReRAM的合金平日也应该非常不乱，以使其可以承受数百万次开关并保留数据。为ReRAM寻找合适的材料物质将是NTU研究的主题，若是研究成功的话，GlobalFoundries将多量量生产这种新型存储器。
