CMOS微缩并未结束，随着提升工艺掌控的能力，将可看到持续的进展。工艺受到物理方面的限制不大，而是在于产出大量高精密产品的能力不足。这很困难，但期望能坚持下去。
英特尔从发展22纳米节点的三闸极晶体管(FinFET工艺)开始转向3D工艺。举个更好的例子是，英特尔在5月发表了一个96层、x4(4bit-per-cell)NAND flash内存，每个晶粒(die)可以封装高达1Tb的信息。这是一个真正的后Dennard缩放定律的例子，在不进行特征缩放(feature scaling)的情况下，增加晶粒封装的功能。再过一段时间，预期将有更多逻辑IC采用3D工艺。
英特尔有一些颇具前景的研究项目，像是穿隧式晶体管(tunnel FET)和铁电材料，它们能大幅提高功率性能比，然而，它们并不能轻易地替代CMOS。因此，希望透过异质整合的方式，可能以堆栈层方式(as layers)，结合缩放CMOS的优点，以及这些新项目(技术)提供的新功能来达到目的。
随着数据的数量和类型快速增加，希望能因应未来新型态的数据处理市场，快速地建立起创新架构。以异质架构来进行，不仅能提升处理速度，也可整合来自多个团队的小芯片(chiplet)。
整合内存和运算方式的新架构可作为后Pollack定律在数据处理方面的说明，像是英特尔的神经形态研究芯片Loihi就是一个例子。人工智能(AI)在运作时，，通常采用不同的内存存取模式，因此可采用与传统的软件工作方式不同的数据处理结构。
综合以上结论，期望摩尔定律的经济效益能持续下去，即使有些部份与当时摩尔观察的有所不同。事实上，不需要被这些论点所影响，而应该在未来50年内不断地发展出越来越好的产品。
