本文以材料分析角度，探讨在iPhone 8的Bionic与Galaxy S8的Exynos8895芯片中SRAM区域与FinEFT工艺的差别，并分析技术呈现纳米级尺寸及其选用材料的差异，进一步了解台积电与三星的10nm工艺。
智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像2015年发生的iPhone 6芯片门事件，每个苹果(Apple)产品的消费者一拿到手机时，都迫不及待地想要知道自己的手机采用的是台积电(TSMC，16nm)或是三星(SAMSUNG，14nm)的芯片。
这场战役两家大厂互有消长，首先是三星的14nm较台积电的16nm抢先半年投入量产，因两家大厂的鳍式晶体管(FinFET)设计也确有雷同之处，后续又衍生了竞业禁止官司诉讼等故事，无论如何，最终台积电还是以些许性能优势击败三星，并使其16nm工艺于隔年独拿了Apple的A10处理器(iPhone 7)订单。
2017年，三星卷土重来，自主设计了10nm技术工艺的Exynos8895(名称源于希腊单词Exypnos和Prasinos，分别意为智能和环保)，搭载于自家旗舰机Galaxy S8上，宣称与上一代14nm工艺相较性能提高了27%、功耗降低40%。另一方面，台积电的10nm产品A11 Bionic于今年iPhone 8发表会上亮相，Apple副总裁Phil Schiller对该芯片做了短短一句评价：“智能手机历来最强大、最智能的芯片”(The most powerful and smartest chip ever in a smartphone)。
于此人们又有新的议题可以讨论，两家世界级半导体厂究竟在新的10nm世代孰强孰弱呢？众多的分析..都针对两家的产品进行了评比，例如，图1是知名跑分评测网站Geekbench针对两家芯片进行的比较，我们可以看到台积电的A11芯片性能分数，无论是单核心的4216分或多核心的10101分，分别都优于三星Exynos8895的1957与6433分，后续亦有许多文章或..以各种数据说明两家大厂产品的规格品项差异。
