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Digitimes:国内存储器崛起 三星逆势进击投资 埋供给过剩隐忧

2018-09-16网络整理阅读:93评论:

Digitimes:国内存储器崛起 三星逆势进击投资 埋供给过剩隐忧

根据韩媒引述业界消息指出,三星可能不考虑存储器供给过剩与价格下滑担忧,决定采取更积极的进击资,主要在于三星判断半导体景气循环模式已不同于过往,未来仍具有相当高的成长潜力,加上面对国内半导体产业强势崛起,三星认为必须以最先进及稳定的技术,构筑更高的护城河,让国内业者难以跨过门槛。

Digitimes:国内存储器崛起 三星逆势进击投资 埋供给过剩隐忧

三星预期半导体景气循环模式将与过去不同,随着自驾车、人工智能(AI)等工业4.0革命到来,全球半导体市场需求可望激增,除了目前既有的PC、智能手机等产品外,包括自驾车、云端运算等新兴产业,以及深度学习、神经网络等AI相关技术加速发展,让资料处理量大增,均将带动半导体市场大幅成长。

此外,面对国内半导体产业持续崛起,三星决定采取先发制人的进击式投资策略,借以拉大与竞争对手差距,透过扩大投资战略,维持领先者的优势地位。

三星半导体部门已开始对100兆韩元拟定投资方案,如果从金额推估,未来三星可能于平泽半导体园区再建3座半导体厂,三星系于2015年5月决定于占地面积88万坪的平泽半导体园区内兴建平泽一厂,2017年完工后开始量产3D NAND Flash,投资额约35兆韩元(约310亿美元)。

三星平泽园区正式启用后,加上三星器兴园区及华城园区,形成全球最大的半导体生产聚落。目前平泽一厂仅使用平泽半导体园区约4分之1的土地,从平泽园区占地面积来看,未来三星于平泽园区再兴建第二、三座、甚至第四座半导体厂都有可能。

尽管无法得知三星半导体部门规划生产的产品类别,但推测三星应会对领先的存储器市场先进行进击式投资,目前三星在全球DRAM与NAND Flash市占皆是第一,市占率分别为46%与36%,若未来三星在平泽园区再兴建3座新厂,届时存储器产业恐陷入供给过剩困境。