根据韩媒引述业界消息指出，三星可能不考虑存储器供给过剩与价格下滑担忧，决定采取更积极的进击投资，主要在于三星判断半导体景气循环模式已不同于过往，未来仍具有相当高的成长潜力，加上面对国内半导体产业强势崛起，三星认为必须以最先进及稳定的技术，构筑更高的护城河，让国内业者难以跨过门槛。
三星预期半导体景气循环模式将与过去不同，随着自驾车、人工智能(AI)等工业4.0革命到来，全球半导体市场需求可望激增，除了目前既有的PC、智能手机等产品外，包括自驾车、云端运算等新兴产业，以及深度学习、神经网络等AI相关技术加速发展，让资料处理量大增，均将带动半导体市场大幅成长。
此外，面对国内半导体产业持续崛起，三星决定采取先发制人的进击式投资策略，借以拉大与竞争对手差距，透过扩大投资战略，维持领先者的优势地位。
三星半导体部门已开始对100兆韩元拟定投资方案，如果从金额推估，未来三星可能于平泽半导体园区再建3座半导体厂，三星系于2015年5月决定于占地面积88万坪的平泽半导体园区内兴建平泽一厂，2017年完工后开始量产3D NAND Flash，投资额约35兆韩元(约310亿美元)。
三星平泽园区正式启用后，加上三星器兴园区及华城园区，形成全球最大的半导体生产聚落。目前平泽一厂仅使用平泽半导体园区约4分之1的土地，从平泽园区占地面积来看，未来三星于平泽园区再兴建第二、三座、甚至第四座半导体厂都有可能。
尽管无法得知三星半导体部门规划生产的产品类别，但推测三星应会对领先的存储器市场先进行进击式投资，目前三星在全球DRAM与NAND Flash市占皆是第一，市占率分别为46%与36%，若未来三星在平泽园区再兴建3座新厂，届时存储器产业恐陷入供给过剩困境。
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