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投资1500亿元 长鑫存储 10nm DDR4 DRAM正式投产

2019-09-21 07:08:43 暂无 阅读:644 评论:0

今天,在安徽合肥揭幕的201 9世界制造业大会上,合肥长鑫公司公布总投资1500亿元的长鑫内存芯片自立制造项目投产,将生产与国际主流DRAM同步的第一代10nm级8Gb DDR4内存。一期设计产能12万片晶圆每月。

投资1500亿元 长鑫存储 10nm DDR4 DRAM正式投产

凭据合肥长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍,该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为方针,2016年5月由合肥市当局旗下投资..合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易立异配合出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目。

对于此前外界最为关心的良率问题,合肥长鑫没有发布具体的数据,然则传播其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构中国电子手艺尺度化研究院的量产良率检测申报。

DRAM即随灵活态存储器,是芯片财富中产值比最大的单一品类,我国客岁进口的3000多亿美元的芯片中,DRAM内存芯片占比最高,占到了20%以上。

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